Exynos 990中藏有三星真正的7LPP工藝
2020-08-24 10:14
半導體百科
關(guān)注
去年，三星宣布在其Exynos 9825中使用的7LPP工藝中引入了EUV。通過對芯片的分析，我們發(fā)現(xiàn)他們在9825中的所謂7LPP工藝與在Exynos 9820中的8LPP工藝之間幾乎沒有區(qū)別。
現(xiàn)在，我們很高興地說，我們在其旗艦產(chǎn)品Galaxy S20中的Exynos 990中發(fā)現(xiàn)了三星真正的7LPP工藝。如我們所料，這款7納米EUV工藝是迄今觀察到的三星密度最高的。
憑借27nm的fin節(jié)距，這一突破性創(chuàng)新使NMOS和PMOS晶體管的3fin／3fin版圖可保持268nm的較小標準單元高度，同時擁有高驅(qū)動電流。
與臺積電的7nm 3／3 7．5T 300nm標準單元高度和 2／2 6T 240nm標準單元高度相比，EUV光刻實現(xiàn)的密度確實更高。
英特爾的10納米制程具有相近的272nm標準單元高度，但是采用了2／3 的fin數(shù)比例。除了節(jié)距微縮外，三星還以令人驚訝的實現(xiàn)方式推出了SDB，該SDB縮短了所需的晶體管隔離距離，最初宣布SDB會在其6LPP工藝平臺中進行部署。
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