據(jù)悉Intel方面將改變此前的芯片制造工藝命名規(guī)則,以能效比對(duì)標(biāo)臺(tái)積電,對(duì)它的芯片制造工藝進(jìn)行重新命名,以求在芯片制造工藝方面實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的反超。

Intel首先會(huì)將當(dāng)下的10nm工藝改進(jìn)版命名為7nm工藝,據(jù)悉Intel的10nm工藝改進(jìn)版的每瓦特性能可望提升10%-15%,在性能方面其實(shí)足以對(duì)標(biāo)臺(tái)積電的7nm工藝。

Intel如此做在于它在芯片制造工藝的命名上吃了虧,它對(duì)于芯片制造工藝的命名嚴(yán)格遵循了摩爾定律,即約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍,對(duì)于芯片制造工藝的升級(jí)試圖嚴(yán)格遵循這一規(guī)律,而臺(tái)積電和三星自14/16nm工藝之后就已不再遵循這一規(guī)則,而是僅僅以晶體管gate長(zhǎng)度來(lái)命名先進(jìn)工藝,在性能方面的提升已遠(yuǎn)不如此前的芯片制造工藝。

正是由于臺(tái)積電和三星在先進(jìn)工藝的命名上的激進(jìn)態(tài)度,它們的先進(jìn)工藝不斷演進(jìn),而試圖嚴(yán)格遵守摩爾定律的Intel則卡在性能提升方面而無(wú)法如期推進(jìn)它的10nm、7nm工藝的量產(chǎn),這也被業(yè)界吐槽臺(tái)積電和三星在先進(jìn)工藝方面玩弄了數(shù)字游戲。

業(yè)界猜測(cè),在先進(jìn)工藝制程命名方面,三星可能更為激進(jìn),它的5nm工藝可能遠(yuǎn)不如臺(tái)積電的5nm工藝,估計(jì)也是因?yàn)槿�星�?nm工藝性能未能達(dá)到預(yù)期,導(dǎo)致它代工的高通驍龍888芯片出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題。

其實(shí)早在臺(tái)積電推出10nm工藝的時(shí)候,Intel就曾列出它的14nm工藝改進(jìn)版與臺(tái)積電的10nm工藝的參數(shù)對(duì)比,不過(guò)業(yè)界對(duì)此反映冷淡,此后臺(tái)積電每1-2年就升級(jí)一代工藝,先后投產(chǎn)了7nm、5nm工藝,而Intel的10nm則延遲了5年時(shí)間至2019年才投產(chǎn),如今Intel的7nm工藝又再次延遲到2021年投產(chǎn),在芯片制造工藝的研發(fā)上顯然落后于臺(tái)積電的進(jìn)展。

針對(duì)臺(tái)積電、三星和Intel的芯片制造工藝差距,日前臺(tái)灣媒體digitimes就曾對(duì)三家企業(yè)的芯片制造工藝做了對(duì)比,它主要以晶體管密度(每平方毫米晶體管數(shù)量)作為參考指標(biāo),對(duì)比了三家企業(yè)的10nm、7nm、5nm、3nm、2nm,其中Intel的5nm和3nm為預(yù)估值,臺(tái)積電和三星的3nm、2nm工藝為預(yù)估值。

digitimes的分析認(rèn)為,在10nm工藝上,Intel的晶體管密度就已領(lǐng)先于三星和臺(tái)積電,此后雙方的差距在的差距逐漸拉大。據(jù)digitimes的分析,它認(rèn)為就晶體管密度而言,臺(tái)積電和三星的7nm工藝還稍微落后于Intel的10nm工藝,到了5nm工藝上三星又與臺(tái)積電拉開(kāi)了差距,它認(rèn)為三星的3nm工藝才接近臺(tái)積電的5nm工藝和Intel的7nm工藝。

顯然如今Intel似乎吸取了這種營(yíng)銷(xiāo)的教訓(xùn),對(duì)芯片制造工藝的命名作出了修改,除了將10nm工藝改進(jìn)版命名為7nm工藝之外,它將到明年投產(chǎn)的原7nm工藝則命名為4nm工藝。

Intel、臺(tái)積電和三星三家芯片制造廠對(duì)芯片制造工藝的命名游戲,凸顯出三家芯片制造企業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系,只是Intel如今修改芯片制造工藝的命名規(guī)則勢(shì)必會(huì)引發(fā)巨大的爭(zhēng)議,而臺(tái)積電和三星會(huì)不會(huì)也因此而修改命名規(guī)則,比賽下各自的數(shù)字游戲呢?